在人工智能技术迅猛发展的当下，存储性能已成为制约大规模AI应用的关键因素之一。全球存储巨头SK海力士近日宣布，正与英伟达深度合作开发下一代AI存储解决方案，旨在突破现有技术瓶颈，为AI运算提供更高效的数据支撑。
据SK海力士副社长Kim Cheon-sung在2025人工智能半导体未来技术会议上透露，双方联合研发的代号为"AI-N P"（性能型AI NAND）的次世代存储方案，通过重构NAND与控制器的架构设计，可显著提升数据传输效率。该技术作为"AIN Family"产品线的重要一环，专门针对大规模AI推演环境优化，能够满足其对数据吞吐量的严苛要求。
技术参数显示，首款基于PCIe Gen 6接口的产品计划于2026年底问世，其每秒读写次数（IOPS）将达到2500万次，较当前数据中心主流企业级SSD的300万次性能提升约8至10倍。更值得关注的是，第二代产品已进入研发阶段，目标是在2027年底将性能推高至1亿IOPS，实现现有产品30倍以上的跨越式发展。
为构建完整的AI存储生态，SK海力士正在同步推进三条技术路线：除性能导向的AI-N P外，还包含带宽优化的AI-N B和高容量的AI-N D。其中与闪迪合作的AI-N B项目取得重要进展，这种被称为HBF（高带宽闪存）的技术通过堆叠NAND闪存颗粒，原理类似HBM内存架构，可大幅扩展数据传输带宽。据Kim Cheon-sung透露，AI-N B的Alpha版本将于2026年1月发布，2027年推出正式评估样品。
目前，SK海力士与英伟达正针对AI-N P进行联合概念验证，重点优化大规模数据吞吐时的能效比。通过针对性改进，新方案可有效降低存储系统处理海量AI数据时的延迟，确保GPU算力不受存储性能制约。这种软硬件协同优化的模式，为AI数据中心和端侧设备提供了全新的技术路径。
