近日，全球存储领域迎来重要进展——闪迪与铠侠共同宣布，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。这款采用332层堆叠设计的首款产品为1Tb TLC型号，标志着3D NAND技术迈向新的高度。
在技术架构层面，BiCS10延续了BiCS8时代已成熟的两大核心工艺。其中，CMOS直接键合到阵列技术通过将CMOS逻辑电路与存储阵列分别制造于不同晶圆，再经高精度晶圆对晶圆对准键合，实现了电路与存储单元的高效集成。另一项关键技术——间距选择栅极漏极技术，则通过优化存储单元排列布局显著提升了存储密度。这两项技术的持续迭代，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度奠定了坚实基础。
性能表现上，BiCS10的NAND接口速度较前代BiCS8提升33%，达到4.8Gb/s；位密度提升59%，实现超过29Gb/mm²的行业领先水平。在能效优化方面，该技术输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，同时写入能效提升18%，读取能效提升30%，展现出显著的技术优势。
技术标准支持方面，BiCS10全面兼容Toggle DDR6.0接口标准、SCA协议及PI-LTT低功耗技术，为企业级应用提供了更高效的数据传输解决方案。铠侠分析指出，2026至2028年NAND市场整体出货容量将以22%的复合年增长率扩张，其中数据中心领域增速将达46%，凸显出该技术的市场潜力。
据披露，BiCS10将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，专为AI训练、推理及大规模云工作负载设计。两家公司明确表示，该技术暂不面向消费级市场，目前尚未公布具体产品定价。这一战略定位反映了存储厂商对高端专业市场的持续深耕，也为未来数据中心存储解决方案提供了新的技术路径。
