市场调查机构Omdia最新发布的报告显示，三星电子在2025年第四季度成功重返全球DRAM市场榜首，以36.6%的市场份额超越SK海力士的32.9%。这一成绩标志着三星自2024年第四季度被SK海力士反超后，时隔一年重新夺回行业领导地位。
报告指出，2025年第四季度全球DRAM市场总收入达到524.7亿美元，环比增长约120亿美元。其中三星电子DRAM销售额达191.56亿美元，较上一季度激增40.6%；SK海力士虽然销售额增长25.2%至172.26亿美元，但市场份额从34.1%下滑至32.9%。三星的强势回归主要得益于第六代高带宽内存HBM4的规模化销售，以及HBM3E和DRAM产品价格的调整策略。
过去一年间，三星电子因HBM市场竞争失利，自1992年以来首次被SK海力士超越。为扭转局势，三星在2025年第四季度全力释放产能，通过提升HBM3E产量和调整DRAM价格体系，成功实现市场反超。财报数据显示，该季度三星HBM销售额显著增长，高容量DDR5和低功耗LPDDR5X等高端产品的需求同步上升。
技术层面，三星HBM4产品以13Gbps的传输速度领跑行业，并已搭载于英伟达最新AI加速器。据业界预测，三星将扩大对英伟达及全球科技巨头的HBM供应，2025年整体HBM市场份额有望达到30%，销售额较去年增长三倍。面对竞争，SK海力士也计划加强与英伟达的合作，以巩固其在HBM市场的优势地位。
分析认为，AI算力需求的爆发式增长正重塑存储芯片市场格局。三星通过技术迭代与产能优化快速响应市场变化，而SK海力士则需在供应链合作与产品创新上持续发力。两家韩企的激烈竞争，或将推动全球HBM市场进入新一轮技术升级周期。
