全球存储芯片领域迎来重大突破——三星电子近日宣布，其研发的HBM4高带宽存储芯片已通过NVIDIA全流程认证，并将于农历新年假期后（2月下旬）启动批量交付。这一里程碑事件标志着全球首款第四代高带宽存储芯片正式进入大规模量产阶段，为下一代人工智能计算平台提供关键硬件支撑。
据供应链消息透露，三星此次量产的HBM4芯片采用革命性混合工艺：DRAM单元芯片应用第六代10nm级（1c）技术，基板芯片则采用4nm代工工艺。这种创新组合使芯片数据处理速度达到11.7Gbps，较JEDEC行业标准（8Gbps）提升37%，相比前代HBM3E（9.6Gbps）提高22%。单堆栈存储带宽突破3TB/s，是上一代产品的2.4倍，性能指标全面领跑行业。
存储容量方面，HBM4通过12层堆叠技术实现36GB容量，未来升级至16层堆叠后将扩展至48GB。这种设计特别针对AI大模型训练、自动驾驶等高算力场景，有效解决传统存储架构的带宽瓶颈问题。NVIDIA计划在3月16日至19日举办的GTC 2026大会上，首次公开展示搭载该芯片的Vera Rubin人工智能计算平台。
NVIDIA CEO黄仁勋此前在CES 2026展会上透露，Vera Rubin平台已进入全面生产阶段，预计2026年下半年正式商用。三星HBM4的及时交付为该平台落地扫清关键障碍，其超高性能可完美匹配新一代AI加速器对内存带宽的严苛需求。行业分析师指出，HBM4的量产将推动全球存储技术进入全新发展周期。
作为AI计算的核心组件，HBM芯片通过垂直堆叠多个DRAM芯片实现超高带宽，已成为GPU、ASIC等加速器的标配解决方案。随着生成式AI、大语言模型等应用的爆发式增长，全球HBM市场规模预计将在2026年突破300亿美元。三星此次技术突破不仅巩固了其在存储领域的领先地位，更为全球AI产业升级提供了关键硬件基础设施。
