近期，IBM与日本顶尖芯片制造商Rapidus携手，在国际电子器件领域的盛会——2024 IEEE IEDM会议上，共同展示了双方合作研发的多阈值电压GAA晶体管的最新成果。这一技术突破预示着Rapidus在2nm制程芯片量产方面迈出了重要一步。
随着半导体工艺步入2nm时代，IBM指出，芯片制造技术迎来了前所未有的变革。传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。这一转变虽然带来了性能上的飞跃，但也为如何实现多阈值电压（Multi Vt）提出了新的挑战。多阈值电压技术对于芯片在较低电压下执行复杂计算至关重要。
在2nm制程中，N型和P型半导体通道之间的距离极其狭窄，要求光刻技术达到前所未有的精度。IBM与Rapidus通过引入两种独特的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功地在不影响半导体性能的前提下，实现了多阈值电压的目标。这一成就标志着2nm芯片制造技术的重大进步。
IBM研究院的高级技术人员Bao Ruqiang对此表示：“与FinFET相比，Nanosheet纳米片的结构更为复杂，但也更为先进。我们开发的新生产工艺不仅简化了制造流程，还提高了可靠性，这为Rapidus在2纳米片技术上实现大规模生产铺平了道路。”
Bao Ruqiang进一步解释，新生产工艺的简化将使得Rapidus在制造2nm芯片时更加得心应手，从而加速这一先进技术的商业化进程。
此次合作不仅展示了IBM和Rapidus在半导体技术研发方面的深厚实力，也预示着全球芯片制造业即将迎来新的变革。随着2nm制程技术的不断成熟，未来的芯片将更加高效、节能，为科技行业的持续发展注入新的活力。
IBM与Rapidus的成功合作也为其他芯片制造商树立了榜样，展示了通过国际合作与创新，可以共同克服半导体技术发展的难题，推动整个行业的进步。
随着2nm制程技术的逐步应用，未来的电子产品将拥有更加强大的性能和更低的能耗，为人们的生活和工作带来更加便捷和高效的体验。
