近期，Consumer DRAM（消费级内存）市场正经历一场由供需失衡引发的价格波动。据行业研究机构分析，由于成熟制程DRAM的供给出现结构性紧缩，下游厂商为获取更多供应配额，纷纷转向采购旧世代产品，导致DDR2、DDR3等颗粒的采购需求显著回升。
从价格走势来看，DDR2、DDR3等旧世代产品的合约价延续了此前的上涨态势。预计2026年第二季度，DDR2合约价涨幅将达55%至60%，第三季度可能进一步攀升35%至40%。这一趋势主要源于供给端的持续收缩——三大DRAM原厂为满足AI基础设施对HBM及Server DRAM的需求，将更多晶圆产能转向先进制程，导致DDR4及更成熟制程的投片量减少。
供给端的调整直接影响了市场格局。南亚科、华邦电子等厂商因订单需求远超产能，议价能力显著增强。为优化利润结构，这些企业策略性缩减了低毛利产品的投片比重，进一步加剧了市场供应紧张。例如，部分厂商已明确表示，将优先保障高附加值订单，对常规消费级产品的交付周期可能延长。
需求端则呈现出“降规求量”的应对策略。面对DRAM颗粒供给紧缩和价格持续上涨，部分品牌厂商及ODM（原始设计制造商）开始调整产品规格，从DDR4降级至DDR3，或从DDR3转向DDR2，以更低容量或更旧制程争取出货配额。这种调整导致缺货压力沿制程世代向下传导，形成“高阶产品缺货→中阶产品需求增加→低阶产品供应紧张”的连锁反应。
行业观察人士指出，当前市场波动是技术迭代与短期供需错配共同作用的结果。随着AI、数据中心等领域对先进存储的需求持续增长，成熟制程DRAM的产能分配问题可能长期存在，而下游厂商的规格调整策略或成为缓解成本压力的临时方案。
