全球存储芯片巨头美光科技近日宣布，将在美国纽约州启动一项具有里程碑意义的投资计划。根据官方披露，该公司计划在奥农达加县克莱镇打造全球最前沿的DRAM内存制造基地，项目总投资额高达1000亿美元（按当前汇率折合约7002.6亿元人民币）。
这座未来感十足的晶圆厂集群将于2026年1月16日正式破土动工，建成后将成为纽约州历史上规模最大的单笔私人投资项目。美光科技表示，该基地将采用业界最先进的制造工艺，专注于生产高性能DRAM内存芯片，产品将广泛应用于人工智能、数据中心、5G通信等高增长领域。
项目选址所在的克莱镇位于纽约州中部，具备完善的半导体产业配套设施。美光科技强调，这项投资不仅将创造数千个高技术岗位，还将带动周边供应链企业协同发展，形成完整的半导体产业生态圈。据测算，项目建成后预计每年可为当地经济贡献超过50亿美元产值。
业内分析人士指出，在全球半导体产业链重构的背景下，美光科技此举彰显了其巩固技术领先地位的决心。随着人工智能算力需求的爆发式增长，高端DRAM内存市场正迎来前所未有的发展机遇，该项目的落地将显著提升美国在存储芯片领域的自主可控能力。
