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英伟达与台积电携手!最强AI芯片Blackwell首次在美国本土制造下线

2025-10-18来源:快讯编辑:瑞雪

在亚利桑那州凤凰城的台积电工厂内,英伟达创始人黄仁勋与台积电运营副总裁共同在一枚晶圆上签名,标志着全球首款美国本土制造的Blackwell架构AI芯片正式下线。这片承载着数十亿晶体管的硅基材料,将成为驱动全球AI基础设施的核心引擎。

这座总投资达1650亿美元的超级工厂,正在改写全球半导体产业格局。台积电将最先进的2纳米、3纳米、4纳米及A16芯片生产线引入美国,不仅满足了英伟达对高性能计算芯片的迫切需求,更被业界视为"制造业回归美国"的标志性事件。黄仁勋在现场强调:"没有台积电的工艺支持,英伟达在指甲盖大小的芯片上集成2080亿个晶体管的壮举根本无法实现。"

Blackwell架构的突破性设计引发行业震动。该芯片采用英伟达与台积电联合研发的4NP工艺,通过创新的NV-HBI接口将两个子芯片以10TB/s的带宽互联,在物理分离的情况下实现逻辑统一。这种设计突破了单片硅片面积限制,使GPU性能得到指数级提升。在2025年GTC大会上,黄仁勋透露该架构已进入全面量产阶段,首批产品将优先供应AI大模型训练市场。

台积电创始人曾提出"在美国建晶圆厂"的构想,如今这一愿景在凤凰城变为现实。工厂内,经过分层、光刻、蚀刻和切割等上百道工序的晶圆,最终将蜕变为支持AI推理与训练的超高性能芯片。这些产品不仅服务于英伟达的加速计算平台,更将深刻影响电信、高性能计算等战略领域。

英伟达的芯片蓝图显示,Blackwell之后将推出升级版Blackwell Ultra,而更先进的"Vera Rubin"超芯片平台已定于2026年下半年上市。该平台由Rubin GPU与Vera CPU组成,专为下一代大模型训练设计。按照规划,2027年将推出Rubin Ultra架构,2028年则迎来被命名为Feynman的后继架构,形成持续五年的技术迭代周期。

这场半导体产业的变革远超技术范畴。随着台积电亚利桑那工厂的运转,美国正重新构建芯片制造生态链。黄仁勋指出:"我们正在创造的不仅是芯片,更是一个能持续创造就业、推动创新的产业基石。"当签名晶圆被送入生产线时,全球半导体产业格局已悄然生变。

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