4 月 24 日消息，据 TheLec 报道，三星电子 2020 年开始在韩国平泽市建设的 P3 晶圆厂，将在下月开始设备的安装，计划在今年下半年建成。
三星平泽 P3 晶圆厂下月开始设备的安装，是韩国媒体率先援引消息人士的透露报道的，设备的进入及安装将持续到 7 月份，较最初计划的时间将提前 1 个月。
三星电子在平泽建设的 P3 工厂，占地 70 万平方米，将成为全球园区最大的晶圆厂，是三星电子 P2 工厂的 1.7 倍。当然，工厂的投资也会相当庞大，他们计划未来几年最少投资 30 万亿元，最多则投资 50 万亿韩元，也就是至少投资 240 亿美元，最高投资 400 亿美元。
从外媒的报道来看，三星电子平泽 P3 晶圆厂，规划的是一座既生产存储芯片，又生产逻辑芯片的工厂，率先投产的是 NAND 闪存，随后是 DRAM，随后是采用 3nm 工艺为其他厂商代工晶圆的生产线。
三星电子平泽 P3 晶圆厂率先开始生产 NAND 闪存，也就意味着工厂设备的安装，将从 NAND 闪存生产设备开始，外媒在报道中是表示在 5 月份的第一个周就将开始安装。
值得注意的是，三星电子的这一座工厂，将大量采用极紫外光刻机。外媒在报道中就提到，这一工厂的 NAND 闪存生产线，将采用极紫外光刻机生产第 7 代 176 层 V-NAND 闪存，为其他厂商代工晶圆的 3nm 工艺，也需要极紫外光刻机。
