ASML公司近日宣布，其研发团队在极紫外（EUV）光刻机光源技术领域取得重大突破。据首席技术专家Michael Purvis透露，研究人员已成功开发出将现有EUV光刻机光源功率从600瓦提升至1000瓦的解决方案，这项技术突破并非实验室阶段的临时成果，而是构建了能够满足芯片制造企业实际生产需求的完整系统。
光源功率的显著提升直接推动光刻机产能实现质的飞跃。根据ASML的测算数据，当光源功率达到1000瓦后，到2030年单台设备每小时可处理的晶圆数量将从220片增加至330片，产能增幅达50%。更值得关注的是，这种产能提升不会导致单片晶圆制造成本增加，这意味着芯片制造商无需扩建洁净室或采购新设备，仅通过现有设备的升级即可实现产能扩张。
尽管技术突破已获验证，但具体商业化时间表尚未明确。行业分析人士指出，ASML可能通过推出升级套件的方式向客户提供光源功率提升服务，不过并非所有型号的EUV光刻机都具备升级条件，具体适配机型范围需等待进一步技术披露。这种渐进式升级策略既保护了客户既有投资，又为技术迭代预留了空间。
在1000瓦光源技术尚未全面落地之际，ASML的研发团队已将目光投向更高目标。Purvis透露，团队正在探索将光源功率提升至1500瓦甚至2000瓦的技术路径。随着光源功率持续突破，EUV光刻机的产能上限将被不断推高，这为应对未来更复杂的芯片制造需求提供了技术保障，特别是在3D堆叠、先进封装等新兴领域，高功率光源将发挥关键作用。
