在近期于荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场活动中，台积电分享了关于首代定制HBM内存的技术规划，引发行业关注。这一消息源于德媒Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交平台发布的现场图片资料。
据台积电透露，定制化HBM内存的商业化落地将与HBM4E标准同步推进，其内部代号为C-HBM4E。这一判断与美光首席商务官Sumit Sadana此前公开的观点不谋而合，双方均认为HBM4E时代将成为定制化内存技术的关键转折点。
针对不同市场需求，台积电在HBM4时代已布局双轨制程方案：面向主流市场的N12FFC+工艺与追求极致性能的N5工艺并行发展。这种差异化策略既保证了技术覆盖的广度，也为高端应用预留了升级空间。
在C-HBM4E的研发中，台积电创新性地将内存控制器（MC）直接集成至基础裸片（Base Die），通过N3P先进制程实现这一设计突破。据技术资料显示，该方案可使能效表现达到HBM3E基础裸片的两倍水平，同时将工作电压从HBM4的0.8V进一步降至0.75V，在降低功耗方面取得显著进展。
这种集成化设计不仅优化了计算芯片的面积利用率，更通过缩短信号传输路径提升了数据访问效率。行业分析师指出，随着AI算力需求的持续增长，此类高度定制化的内存解决方案将成为高端计算芯片的核心竞争力之一。
