据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子在三季度已做出重大决策，对其平泽P4制造综合体一期进行产能调整。这一变动意味着，该生产线将从原先专注的NAND闪存生产，转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。
▲ 三星平泽园区
此次调整在生产线的命名上也有所体现。原名为P4F的生产线，其中的"F"代表Flash闪存，而如今更名为P4H，其中的"H"则是Hybrid的简称，标志着该生产线将支持更多种类的半导体工艺。
目前，平泽P4一期已有部分NAND闪存生产设备进驻，并计划在今年底前将NAND的生产能力提升至每月1万片晶圆。然而，由于市场环境的不确定性，针对如V9 QLC NAND等先进产品的进一步投资，可能会推迟至明年中期。
在DRAM生产方面，该生产线未来有望达到每月3至4万片晶圆的产能。同时，为应对竞争对手的扩张并保证自身供应充足，三星计划在该生产线上引入其最先进的1a、1b nm工艺，即相当于14nm和12nm级别。
值得注意的是，三星电子的平泽P4制造综合体共规划有四期生产线。其中，三期将专注于DRAM生产，并已计划开工建设。而原本计划的二期Foundry代工生产线，则暂时搁置。
