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明年下半年期待!联发科首款3nm芯片成功流片

2023-09-07来源:虎科技编辑:

【虎科技】9月7日消息,联发科(MediaTek)和台积电(TSMC)近日共同宣布,他们的合作取得了重大突破。联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片研发进展十分顺利,如今已经成功完成流片,为未来的量产铺平了道路。

这一里程碑的达成使得联发科有望在明年下半年推出这款3nm新旗舰芯片。不过,值得注意的是,在今年下半年即将发布的天玑9300芯片仍然采用台积电4nm工艺。因此,可以合理推测,这款3nm新旗舰芯片极有可能是下一代的“天玑9400”。

天玑9400来了!联发科3nm工艺旗舰已流片:功耗骤降32%

台积电的3nm制程工艺代表着全新的一代制程技术,为高性能计算和移动应用提供了更加全面的支持。这一制程工艺具有卓越的性能、功耗和良率表现。根据官方数据,相较于5nm工艺,台积电的3nm工艺能够将芯片逻辑密度提高约60%,在相同功耗下性能提升达18%,或者在相同性能水平下功耗降低32%。

此外,值得一提的是,苹果公司也计划采用台积电的3nm工艺制造其未来的芯片,例如可能的A17芯片。至于高通的骁龙8 Gen4芯片,目前尚不确定是由台积电还是三星生产,存在不同的报道和传闻。不过,这一消息反映了半导体行业竞争激烈,各大厂商争相采用先进的制程工艺来提升芯片性能。

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