在HBM（高带宽内存）市场竞争中，SK海力士与三星的角力持续升级。作为英伟达当前HBM3E产品的主要供应商，SK海力士已向其交付8层及12层堆叠的HBM3E芯片，并率先完成下一代HBM4的量产体系构建。这一进展使其在英伟达基于Rubin架构的AI加速器供应链中占据先机。
三星的追赶之路则充满波折。尽管其12层堆叠HBM3E样品在去年2月便已开发完成，但通过英伟达质量认证的过程耗时一年半。据TrendForce分析，这一突破既源于三星对HBM3E性能的持续优化，也与英伟达推进供应商多元化的战略需求密切相关。然而，有消息指出三星目前仅完成第二轮内部晶圆验收测试，尚未获得英伟达的最终批准。
技术迭代成为竞争关键。三星今年第二季度推出的HBM4样品虽已通过英伟达初步测试，但仍需完成最终验证。其优势在于采用4nm工艺制造基础裸片，并搭配第六代10nm级（1αnm）工艺DRAM芯片，相比SK海力士第五代10nm级（1βnm）工艺更具性能潜力。特别是针对HBM3E的发热问题，三星通过去年5月启动的设计更新，成功解决了技术瓶颈。
市场压力促使技术规格不断攀升。英伟达近期要求供应商将HBM4速度从8Gb/s提升至10Gb/s，以应对AMD明年推出的Instinct MI450计算卡及"Helios"AI机架系统的挑战。这一需求为三星提供了反超契机——其HBM4在工艺制程上的领先性，可能帮助其满足英伟达对性能的严苛要求。
当前竞争格局呈现双雄并立态势。SK海力士凭借先发优势占据市场主动，而三星通过技术迭代与工艺升级持续施压。随着AI计算对内存带宽需求的指数级增长，HBM市场的技术竞赛已进入白热化阶段，两大存储巨头的每一次突破都将重塑产业格局。
