【虎科技】3月26日消息，近日佳能公司在半导体制造技术上迈出了重要的一步，其纳米压印(NIL)技术已成功实现商业化，且在性能表现上逼近了阿斯麦的极紫外光(EUV)曝光装置。
据日经报道，佳能的纳米压印技术以其独特的图案制造能力引起了业界的广泛关注。该技术采用类似盖章的方式，将纳米级别的精细图案刻印在掩膜上，再将其精准地转印至晶圆上。这项技术能够绘制出满足5纳米级半导体工艺要求的最小线宽为14纳米的电路图案，显示出其在制造高精度图案方面的卓越实力。
据虎科技了解，纳米压印技术不仅在图案制造上表现出色，其能源消耗方面的优势也尤为突出。与EUV曝光装置相比，纳米压印装置的耗电量仅为前者的十分之一，这得益于其相对简单的制造工艺，无需使用高能耗的光源和复杂的反射镜系统。这种显著的节能特性使得纳米压印技术在长期运营中更具经济性和环保性。
此外，佳能的纳米压印技术还在成本控制方面展现出明显优势。尽管具体价格信息尚未公开，但鉴于其装置结构的相对简洁，预计制造成本将低于EUV曝光装置，这为其在市场上的推广和普及提供了有力支持。
总的来说，佳能的纳米压印技术的商业化成功，不仅为半导体制造领域带来了新的技术选择，更以其出色的性能和经济性，为行业的进一步发展注入了新的活力。
