铠侠株式会社与闪迪公司联合宣布，双方成功研发出新一代四层单元（QLC）3D闪存技术，标志着存储领域实现重大突破。该技术基于第十代架构，通过创新工艺将位密度提升至超37Gb/mm²，较前代第八代技术提升幅度达60%，成为目前业界密度最高的QLC解决方案。
核心突破源于双方共同开发的CMOS直接键合阵列（CBA）技术。该技术采用分体式制造工艺，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在独立晶圆上生产，随后通过高精度晶圆对晶圆（Wafer-to-Wafer）键合技术实现垂直集成。这种设计不仅提升了良品率，还为未来堆叠层数扩展预留了技术空间。
在性能表现方面，新一代产品实现接口速率飞跃式提升。通过采用Toggle DDR6.0接口协议与独立命令地址协议（SCA），其数据传输带宽达到4.8Gb/s，较前代提升显著。这项突破使QLC闪存在保持高密度优势的同时，更接近TLC闪存的性能水平，为消费级SSD和企业级存储设备提供新的技术路径。
物理结构上，第十代技术采用332层NAND堆叠工艺，配合三维立体架构设计，在相同芯片面积内实现存储单元数量倍增。位密度提升的60%中，30%来自堆叠层数增加，另30%则源于电路优化与协议升级。这种复合式技术演进模式，为闪存行业突破物理极限提供了创新范式。
