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Etched AI芯片新突破:低电压架构搭配创新缓存,2026年有望出货

2026-07-01来源:快讯编辑:瑞雪

AI芯片领域迎来一匹新锐黑马——初创企业Etched近日宣布,其自主研发的推理加速器芯片已完成A0步进流片,并成功搭建首批机架系统。更引人注目的是,该企业同步披露已斩获超10亿美元订单,同时完成8亿美元B轮融资,为后续量产铺平道路。据内部人士透露,首批搭载该芯片的机架产品计划于2026年夏季正式交付客户。

传统AI芯片在应对高强度计算任务时,普遍面临散热难题。Etched团队通过技术攻关发现,现有产品在满负荷运行时会产生过量废热,导致核心频率被迫下降,最终实际推理性能仅能达到理论峰值的40%左右。这种"性能虚标"现象在行业普遍存在,成为制约AI算力提升的关键瓶颈。

针对这一痛点,Etched采用台积电N4P先进制程工艺,重构了芯片底层架构。通过电路设计、封装工艺、算法优化的协同创新,其数学运算模块的工作电压较同类产品降低超50%。这种突破性设计使芯片在运行1T参数规模的稀疏混合专家(MoE)模型时,可保持80%以上的算力利用率,较传统方案提升近一倍能效。

在存储架构方面,研发团队独创了片上SRAM与片外HBM的混合方案。通过高速互联技术将两种存储介质无缝衔接,既保证了低延迟的数据访问,又实现了大容量存储需求。测试数据显示,该设计使芯片在保持高吞吐量的同时,交互响应速度较纯HBM方案提升30%,特别适合需要实时推理的对话式AI应用场景。

据行业分析师指出,Etched的技术路线代表了AI芯片设计的全新范式。其通过系统级优化而非单纯追求制程进步的策略,为破解"功耗墙"难题提供了新思路。随着首批订单的落地,这家成立仅三年的初创企业已跻身AI算力竞赛的核心赛道,其产品能否如预期般改变市场格局,值得持续关注。

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