三星电子近日宣布，其最新一代HBM4内存已正式进入量产阶段，并向全球客户交付商用产品。这一举措使三星成为全球首家实现HBM4商业化供应的企业，标志着高带宽内存技术迈入全新发展阶段。
据官方技术资料显示，HBM4采用第六代10nm级DRAM工艺（1c）与4nm逻辑制程的融合方案。这种跨代工艺组合使产品在量产初期即实现稳定良率，同时保持行业领先性能指标。三星存储开发负责人黄相俊强调，该设计突破传统迭代路径，通过架构优化为未来性能升级预留充足空间，可灵活应对人工智能等前沿领域不断增长的计算需求。
性能参数方面，HBM4展现出显著优势。其稳定传输速率达11.7Gbps，较行业主流8Gbps标准提升46%，较前代HBM3E的9.6Gbps提高22%。在峰值性能模式下，数据传输速率可扩展至13Gbps，有效缓解AI大模型训练中的数据吞吐瓶颈。单堆栈内存带宽突破3.3TB/s，是HBM3E的3.7倍，为高密度计算提供坚实支撑。
在容量扩展方面，三星采用12层堆叠技术实现24GB至36GB的规格覆盖，并计划通过16层堆叠将容量提升至48GB。这种渐进式扩容策略既满足当前市场需求，又为未来技术演进预留空间。针对I/O引脚数量翻倍带来的功耗挑战，研发团队通过低电压TSV互连技术和电源分配网络优化，使功耗效率提升40%，热阻增加10%，散热性能改善30%，显著降低数据中心运营成本。
制造保障层面，三星将依托现有DRAM产能和专用生产线，构建稳定的供应链体系。市场拓展方面，公司计划深化与全球GPU制造商及超大规模数据中心的合作，重点推进下一代ASIC芯片的联合开发。根据业务规划，2026年HBM系列产品销售额将较2025年增长超300%，为此三星将加速扩充HBM4产能，并预计在2026年下半年启动HBM4E样品送测，2027年按客户定制规格交付专用HBM产品。
这项技术突破对数据中心领域具有重要价值。通过提升GPU吞吐能力并优化总体拥有成本，HBM4将助力客户构建更高效的人工智能基础设施。三星存储业务负责人表示，公司将持续投入先进制程研发，巩固在高端内存市场的技术领导地位。
