近日，银川经济技术开发区管理委员会发布了一项重要科技成果的消息。3月15日，由中国电工技术学会主导，宁夏超导泛半导体科技有限责任公司作为主要组织者，在银川成功举办了“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”。
此次鉴定会汇聚了众多科技领域的专家，其中，中国科学院院士甘子钊担任专家委员会主席。经过深入评估，专家委员会对项目给予了高度评价，认为该项目不仅突破了传统磁拉单晶技术的限制，还成功解决了硅单晶生长过程中多项关键技术的难题。这一成果填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能已达到国际领先水平。
据了解，高温超导磁控硅单晶生长装备及技术的关键在于引入了高温超导磁体技术。宁夏超导泛半导体科技有限责任公司的科研团队，针对高品质大尺寸硅单晶生长的技术瓶颈，成功研制出了这一装备。该装备和技术不仅可以将硅片含氧量稳定控制在5ppma以下，还使得硅棒头尾的利用率提升了4%以上，生产效率提高了12%。目前，已经成功拉制出直径达到340毫米的高品质硅棒。
银川经济技术开发区管理委员会表示，大尺寸硅单晶长棒的快速、高稳定性、低含氧量的生长，对于解决大尺寸（12英寸以上）高品质硅单晶的低成本、规模化生产具有重要意义。这不仅有助于全产业链的降本增效，还能推动技术迭代升级。项目报告显示，宁夏超导泛半导体科技有限责任公司的这项技术，已经在实际应用中取得了显著成效。
甘子钊院士在鉴定会上指出：“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术的产业化发展做出了开创性的贡献，开辟了超导技术产业化的新方向。”这一评价无疑是对项目团队辛勤付出的高度认可和肯定。
此次科技成果的取得，不仅标志着我国在高温超导磁控硅单晶生长装备及技术领域取得了重大突破，也预示着我国在高端硅晶体制造领域将拥有更加广阔的发展空间和前景。
