芯联集成近日宣布，成功研发出基于自研8英寸碳化硅（SiC）高压平面栅工艺平台的3300V SiC MOSFET器件。这款产品专为固态变压器等高压、高功率密度、高可靠性场景量身打造，目前已经进入核心客户送样验证阶段。
据介绍，该3300V SiC MOSFET通过优化单元面积设计，显著降低了导通电阻与栅电荷的乘积值，从而在导通性能和开关效率方面实现了突破性提升。这一技术优势使其在高压应用中展现出更强的竞争力。
在10kV中压固态变压器前端应用中，与传统的1200V方案相比，3300V SiC MOSFET可减少60%的功率单元和MOSFET使用量，外围器件数量减少70%，综合物料清单（BOM）成本降低20%至35%。这一改进不仅降低了系统成本，还为固态变压器的小型化设计提供了关键支持，有助于推动相关技术的普及应用。
芯联集成还透露，正在开发适配3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件，以进一步完善高压功率解决方案的生态系统。
