近日，韩国媒体MToday披露了一则重要消息，SK海力士公司计划在今年十月正式启动HBM高带宽内存的最新升级版本——12Hi HBM4的量产。这一决策背后的主要驱动力，是为了满足英伟达即将于明年推出的基于“Rubin”架构的AI GPU的需求。
据了解，SK海力士的12Hi HBM4采用了创新技术，将12层24Gb DRAM芯片进行堆叠，使得单个封装的内存容量高达36GB，数据传输带宽更是惊人地达到了2TB/s。这不仅代表了内存技术的一大飞跃，也为高性能计算领域带来了新的可能。
值得注意的是，SK海力士在今年早些时候已经在HBM4的生产上取得了显著进展，实现了超过60%的良率。更令人振奋的是，最近该公司再次突破技术瓶颈，良率已经提升至70%以上，为即将到来的大规模量产奠定了坚实的基础。
根据TrendForce集邦咨询的最新预测，由于HBM4在I/O接口数量上的翻倍以及基础裸片功能的复杂化，其制造难度相较于前代产品有了显著提升。因此，预计HBM4在上市初期将出现超过30%的价格溢价。尽管如此，HBM4的市场前景依然被看好，TrendForce预测，到2026年下半年，HBM4有望超越HBM3E，成为市场上的主流产品。
