浙江驰拓科技在国际微电子领域的顶级盛会上，公布了一项关于SOT-MRAM技术的重大突破，该成果成功克服了SOT-MRAM在大规模生产中的技术瓶颈。
驰拓科技的创新之处在于，他们首次提出了一种全新的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，这种结构特别适合于大规模生产。该设计巧妙地将MTJ置于两个底部电极之间，并允许进行过刻蚀，这一改变显著增大了刻蚀窗口，进而简化了刻蚀工艺，降低了生产难度。
得益于这一创新设计，SOT-MRAM器件在12英寸晶圆上的位元良率从原先的99.6%跃升至超过99.9%，满足了大规模生产的严苛要求。该器件在性能上也表现出色，实现了2纳秒的快速写入速度，以及超过1万亿次的写入/擦除操作次数（在测量时间范围内），并展现出持续微缩的潜力。
SOT-MRAM作为一种高性能的非易失存储技术，因其纳秒级的写入速度和理论上无限次的擦写次数，被视为未来可能替代CPU各级缓存的优选方案。然而，传统的器件制造工艺却面临着刻蚀良率低的难题，这严重阻碍了SOT-MRAM的大规模生产与应用。
驰拓科技的这一突破性成果，不仅解决了SOT-MRAM在大规模生产中遇到的挑战，更为非易失存储技术的未来发展奠定了坚实的基础。这一创新不仅展示了中国在微电子领域的强大研发实力，也为全球存储技术的发展贡献了宝贵的力量。
