近日，三星电子对于一项有关其DRAM技术发展的报道做出了正式回应。据DigiTimes报道，三星已明确否认了有关其正在重新设计第五代10nm级DRAM（即1b DRAM）的消息。
此前，ETNews曾报道称，为了应对12nm级DRAM产品在良率和性能上面临的挑战，三星电子在2024年底决定在改进现有1b nm工艺的同时，启动新版1b nm DRAM的从头设计工作。这一消息在业界引起了广泛关注。
市场观察人士指出，三星此举可能是出于竞争压力。SK海力士和美光科技已在HBM内存中采用了1b DRAM技术，而三星目前仍在使用较旧的1a DRAM。这一技术差距可能对三星在DRAM市场的领先地位构成威胁。
据进一步报道，三星已启动了一个名为“D1b-p”的开发项目，旨在提升其DRAM业务的竞争力。其中，“p”代表“prime”，象征着卓越的品质。该项目特别关注提高电源效率和散热性能，以应对日益增长的市场需求和技术挑战。
作为全球DRAM市场的领导者，三星目前正面临来自SK海力士和美光科技的强劲挑战。这两家公司不仅成功商业化了1b DRAM，SK海力士更是在2024年8月率先完成了1c DRAM的开发，进一步巩固了其在高端DRAM市场的地位。
值得注意的是，有消息称即将发布的三星Galaxy S25系列智能手机将采用美光作为其主要的移动DRAM（LPDDR5）供应商。这一决定被认为是由于三星尚未完全解决1b LPDDR5X的良率和散热问题，因此选择了与竞争对手合作以确保产品的质量和性能。
然而，三星通过相关媒体对此类报道进行了否认，称相关报道并不准确。尽管如此，此次事件仍然引发了业界的广泛关注，进一步凸显了存储芯片市场竞争的激烈程度。三星作为行业巨头，其每一步动向都备受瞩目，而此次关于DRAM技术发展的争议无疑为市场增添了更多不确定性。
