近日，据国际科技媒体Wccftech报道，内存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E项目的最新研发动态，引起了业界的广泛关注。
据悉，美光即将推出的HBM4内存将采用前所未有的2048位接口设计，并计划在2026年步入大规模生产阶段。而更为先进的HBM4E版本，则将在未来几年内面世。HBM4E不仅数据传输速度将超越HBM4，更引人注目的是，它将支持基础芯片的定制化服务，这一创新之举有望为整个存储行业带来全新的发展机遇。
据美光透露，这些定制化的逻辑芯片将由台积电采用先进的生产工艺制造，能够大幅度提升内存的集成度和性能表现。台积电先进的工艺将使美光能够根据客户的特定需求，提供量身定制的存储解决方案。
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，HBM4E的推出将彻底改变存储行业的面貌。他强调，通过结合台积电先进的生产工艺，美光将能够为客户提供前所未有的定制化服务，这不仅将推动美光自身的财务表现，更将引领整个存储行业的创新发展。
目前，HBM4E的开发工作正在顺利进行中，并已与多家客户建立了合作关系。美光预计，不同客户将根据自身需求，采用不同的基础芯片配置。
在技术细节方面，美光的HBM4将采用1β工艺（即第五代10nm技术）生产的DRAM，搭载于2048位接口的基础芯片上。其数据传输速率高达6.4GT/s，理论带宽更是达到了每堆栈1.64TB/s的惊人水平。
美光还透露，针对英伟达Blackwell处理器的8-Hi HBM3E设备已经全面出货，而12-Hi HBM3E堆栈也正在进行严格的测试，并已获得了主要客户的一致好评。Mehrotra表示，尽管美光的12-Hi HBM3E堆栈在功耗上比竞争对手的8-Hi版本低了20%，但其内存容量却提高了50%，性能更是达到了行业领先的水平。
据了解，12-Hi HBM3E堆栈预计将用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列计算GPU，为AI和HPC应用提供强大的支持。
