半导体设备行业的领军企业泛林集团近日宣布了一项重大创新，正式推出了全球首款钼（Mo）原子层沉积（ALD）设备——ALTUS Halo。这一里程碑式的成就于美国加州当地时间2月19日公布，标志着半导体制造领域的一次重要技术革新。
ALTUS Halo设备已经在逻辑半导体和3D NAND领域获得了早期应用。在半导体工艺中，金属布线元器件的互联一直扮演着至关重要的角色。过去二十多年里，钨（W）凭借其卓越的沟槽填充能力成为这一领域的首选材料。然而，随着半导体技术的不断进步，钨的较高电阻率逐渐成为了制约性能提升的瓶颈。此时，钼因其出色的沟槽填充能力和低电阻特性，正逐步成为布线工艺的新选择。
泛林集团高级副总裁兼全球产品集团总经理Sesha Varadarajan表示，ALTUS Halo设备是原子层沉积领域二十多年来最重大的突破。该设备结合了泛林的四站模块架构和ALD技术的最新进展，为大批量生产提供了工程化的低电阻率钼沉积。这一创新技术对于满足新兴和未来芯片变化的关键要求至关重要，包括千层3D NAND、4F2 DRAM以及先进的GAA逻辑电路。
美光科技负责NAND开发的副总裁Mark Kiehlbauch也对ALTUS Halo设备给予了高度评价。他表示，钼金属化的集成使得美光能够在最新一代NAND产品中率先推出业界领先的I/O带宽和存储容量。泛林的ALTUS Halo设备为美光将钼投入量产提供了可能，进一步推动了半导体技术的发展。
除了ALTUS Halo设备外，泛林集团还同期推出了一款名为Akara的等离子体蚀刻设备。这款设备采用了固态等离子体源，生成的等离子体响应速度提升了100倍，支持更大纵横比的超高精度蚀刻，以形成复杂的3D结构。这一创新技术将为半导体制造领域带来更多的可能性。
