近期，据首尔经济日报披露，三星电子已正式启动对1.0纳米晶圆代工工艺的研发工作，此举被视为其力图在与台积电的技术竞赛中实现弯道超车的重要一步。
据悉，三星电子半导体研究所已组建了一支由顶尖研发人员构成的专项团队，这些人员曾深度参与2纳米等先进制程技术的研发。在三星目前公开的晶圆代工工艺蓝图中，1.4纳米工艺原计划于2027年实现量产，被视为其技术前沿的代表。
然而，三星并不满足于现状，而是将目光投向了更为先进的1纳米工艺。据首尔经济日报报道，1纳米工艺的研发将需要突破现有的设计框架，引入全新的技术理念，以及采用包括高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等在内的下一代生产设备。三星预计，这一工艺的量产时间将不早于2029年。
当前，三星正在量产3纳米工艺，并计划在今年内实现2纳米工艺的量产。然而，首尔经济日报指出，在技术上，三星仍落后于其主要竞争对手台积电，尤其是在2纳米工艺方面，台积电的良率已突破60%，而三星则存在明显的差距。因此，三星对1纳米工艺寄予了厚望，希望借此缩小与台积电的技术差距。
尽管面临技术挑战，但三星在2纳米工艺的研发上仍取得了一定进展。据韩媒The Bell此前报道，三星最新的2纳米SF2工艺初始良率高于预期，搭载该工艺的Exynos 2600芯片试产良率已达到30%。
面对技术竞赛的压力，三星电子高层也表现出了坚定的决心。三星会长李在镕上月向高管们强调，要延续三星重视技术的传统，并表示要以前所未有的技术引领未来。这一表态无疑为三星在先进制程技术研发上注入了强大的动力。
